IRFB3077PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 75V, TO-220
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 75V
Current, Id Cont 210A
Resistance, Rds On 3.3ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 4V
Case Style TO-220AB
Termination Type Through Hole
Avalanche Single Pulse Energy Eas 240mJ
Current, Id Cont @ 100°C 150A
Current, Id Cont @ 25°C 210A
Current, Idm Pulse 850A
Power, Pd 370W
Typ Capacitance Ciss 9400pF
Voltage, Rds Measurement 10V
Voltage, Vds 75V
Voltage, Vds Max 75V
Rth 0.4
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.3 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 3.3 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 3.3 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 220 нКл, Рассеиваемая мощность 370 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 9 400 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток75 В
-
Ток стока номинальный при 25°C120 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)3.3 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min3.3 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max3.3 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора220 нКл
-
Рассеиваемая мощность370 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора9 400 пФ