IRFB4110PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 100V, TO-220AB
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 100V
Current, Id Cont 180A
Resistance, Rds On 0.0045ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 4V
Case Style TO-220AB
Termination Type Through Hole
Base Number 4110
Current, Idm Pulse 670A
N-channel Gate Charge 150nC
No. of Pins 3
Power Dissipation 370mW
Power, Pd 370W
Voltage, Vds Max 100V
Voltage, Vgs th Max 4V
Voltage, Vgs th Min 2V
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 4.5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 4.5 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 210 нКл, Рассеиваемая мощность 370 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 9 620 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса120 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)4.5 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min4.5 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max4.5 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора210 нКл
-
Рассеиваемая мощность370 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора9 620 пФ