IRFB4227PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 200V, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:65A; Resistance, Rds On:26ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Capacitance, Ciss Typ:4600pF; Current, Id Cont @ 100°C:46A; Current, Id Cont @ 25°C:65A; Current, Idm Pulse:260A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:140mJ; Power, Pd:190W; Voltage, Rds Measurement:10V; Voltage, Vds:200V; Voltage, Vds Max:200V; Rth:0.45
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 65 А, Сопротивление открытого канала (мин) 24 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 26 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 26 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 98 нКл, Рассеиваемая мощность 330 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 4 600 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток200 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса65 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)24 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min26 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max26 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора98 нКл
-
Рассеиваемая мощность330 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора4 600 пФ