IRFB4410PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 100V, TO-220
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 100V
Current, Id Cont 96A
Resistance, Rds On 0.01ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 4V
Case Style TO-220
Termination Type Through Hole
Alternate Case Style SOT-78B
Avalanche Single Pulse Energy Eas 220mJ
Current, Idm Pulse 380A
Lead Spacing 2.54mm
No. of Pins 3
Pin Configuration a
Pin Format 1G, (2+Tab)D, 3S
Power Dissipation 250W
Power, Pd 250W
Power, Ptot 250W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 0.01ohm
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Time, trr Typ 38ns
Transistors, No. of 1
Typ Capacitance Ciss 5150pF
Voltage, Vds Max 100V
Voltage, Vgs th Max 4V
Voltage, Vgs th Min 2V
Корпус SOT78 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C 88 А, Сопротивление открытого канала (мин) 10 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 10 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 10 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 180 нКл, Рассеиваемая мощность 200 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 5 150 пФ
Характеристики
-
КорпусSOT78
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C88 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)10 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min10 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max10 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора180 нКл
-
Рассеиваемая мощность200 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора5 150 пФ