IRFH5020TR2PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET Infineon Technologies IRFH5020TR2PBF 1 N-Kanal 3.6 W PQFN 5x6
Корпус TDFN8 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C 43 А, Сопротивление открытого канала (мин) 55 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 55 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 55 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 36 нКл, Рассеиваемая мощность 8.3 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFET
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTDFN8
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток200 В
-
Ток стока номинальный при 25°C43 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)55 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min55 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max55 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора36 нКл
-
Рассеиваемая мощность8.3 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFET