IRFPS3810PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 100V, 141A, SUPER 247
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 100V
Current, Id Cont 141A
Resistance, Rds On 0.009ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 5V
Case Style Super-247
Termination Type Through Hole
Current, Idm Pulse 230A
Power Dissipation 441W
Power, Pd 441W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 9ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A 0.34°C/W
Voltage, Vds Max 100V
Корпус TO274AA , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C 170 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 9 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 9 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 390 нКл, Рассеиваемая мощность 580 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 6 790 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO274AA
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C170 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)9 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min9 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max9 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора390 нКл
-
Рассеиваемая мощность580 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора6 790 пФ