IRFR120ZPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 100V, D-PAK
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 100V
Current, Id Cont 8.7A
Resistance, Rds On 0.19ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 4V
Case Style DPAK
Termination Type SMD
Base Number 120
Current, Idm Pulse 35A
No. of Pins 3
Power Dissipation 35mW
Voltage, Vds Max 100V
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C 8.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 190 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 190 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 190 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 10 нКл, Рассеиваемая мощность 35 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 310 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C8.7 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)190 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min190 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max190 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора10 нКл
-
Рассеиваемая мощность35 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора310 пФ