IRFR3710ZPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, D-PAK TUBE 75; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:42A; Resistance, Rds On:0.018ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:TO-252; Current, Idm Pulse:220A; Depth, External:10.5mm; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:IRFR3710ZPBF; Pins, No. of:3; Power Dissipation:140W; Power, Pd:140W; Power, Ptot:140W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:100V; Width, External:6.8mm
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C 42 А, Сопротивление открытого канала (мин) 18 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 18 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 18 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 100 нКл, Рассеиваемая мощность 140 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 2 930 пФ
Предлагаем замену
_500.jpeg)
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C42 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)18 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min18 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max18 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора100 нКл
-
Рассеиваемая мощность140 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора2 930 пФ