IRFR6215PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, P, -150V, 13A, D-PAK
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity P
Voltage, Vds Typ -150V
Current, Id Cont 13A
Resistance, Rds On 0.295ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement -10V
Voltage, Vgs th Typ -4V
Case Style DPAK
Termination Type SMD
Alternate Case Style D-PAK
Current, Idm Pulse 44A
Power Dissipation 110W
Power, Pd 110W
SMD Marking IRFR6215
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Temperature, Tj Max 175°C
Temperature, Tj Min -55°C
Thermal Resistance, Junction to Case A 1.4°C/W
Voltage, Vds 150V
Voltage, Vds Max 150V
Корпус DPAK , Конфигурация и полярность P , Максимальное напряжение сток-исток -150 В, Ток стока номинальный при 25°C 13 А, Сопротивление открытого канала (мин) 295 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 580 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 580 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 66 нКл, Рассеиваемая мощность 110 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel , Ёмкость затвора 860 пФ
_500.jpeg)
Характеристики
-
КорпусDPAK
-
Конфигурация и полярностьP
-
Максимальное напряжение сток-исток-150 В
-
Ток стока номинальный при 25°C13 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)295 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min580 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max580 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора66 нКл
-
Рассеиваемая мощность110 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
-
Ёмкость затвора860 пФ