IRFR9024NTRPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity P Channel
Drain Source Voltage, Vds -55V
Continuous Drain Current, Id -11A
On Resistance, Rds(on) 175mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs -10V
Package/Case DPAK
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность P , Максимальное напряжение сток-исток -55 В, Ток стока номинальный при 25°C 11 А, Сопротивление открытого канала (мин) 175 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 175 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 175 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 19 нКл, Рассеиваемая мощность 38 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel , Ёмкость затвора 350 пФ
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьP
-
Максимальное напряжение сток-исток-55 В
-
Ток стока номинальный при 25°C11 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)175 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min175 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max175 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора19 нКл
-
Рассеиваемая мощность38 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
-
Ёмкость затвора350 пФ