IRFS23N20DPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 200V, 24A, D2-PAK
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 200V
Current, Id Cont 24A
Resistance, Rds On 0.1ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 5.5V
Case Style D2-PAK
Termination Type SMD
Alternate Case Style D2-PAK
Current, Idm Pulse 96A
Power Dissipation 3.8W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB 3.8W
Power, Pd 3.8W
Power, Ptot 38W
SMD Marking FS23N20D
Thermal Resistance, Junction to Case A 0.9°C/W
Voltage, Vds 200V
Voltage, Vds Max 200V
Voltage, Vgs th Max 5.5V
Корпус D2PAK , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 24 А, Сопротивление открытого канала (мин) 100 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 100 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 100 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 86 нКл, Рассеиваемая мощность 3.8 Вт, Примечание 200V N-ch MOSFET 24A in D2-PAK , Ёмкость затвора 1 960 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусD2PAK
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток200 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса24 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)100 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min100 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max100 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора86 нКл
-
Рассеиваемая мощность3.8 Вт
-
Примечание200V N-ch MOSFET 24A in D2-PAK
-
Ёмкость затвора1 960 пФ