IRFS4020TRLPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Корпус TO263 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 105 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 105 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 105 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 29 нКл, Рассеиваемая мощность 100 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB , Ёмкость затвора 1 200 пФ
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток200 В
-
Ток стока номинальный при 25°C18 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)105 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min105 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max105 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора29 нКл
-
Рассеиваемая мощность100 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
-
Ёмкость затвора1 200 пФ