IRFZ44EPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 60V, 48A, TO-220
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 60V
Current, Id Cont 48A
Resistance, Rds On 0.023ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 4V
Case Style TO-220AB
Termination Type Through Hole
Current, Idm Pulse 192A
Lead Spacing 2.54mm
No. of Pins 3
Pin Format 1 g
2 d/tab
3 s
Power Dissipation 110W
Power, Pd 110W
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A 1.4°C/W
Transistors, No. of 1
Voltage, Vds Max 60V
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 48 А, Сопротивление открытого канала (мин) 23 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 23 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 23 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 60 нКл, Рассеиваемая мощность 110 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 1 360 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C48 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)23 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min23 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max23 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора60 нКл
-
Рассеиваемая мощность110 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора1 360 пФ