IRG4BC30FD / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT, TO-220
Transistor Type IGBT
Transistor Polarity N
Current Ic Continuous a Max 31A
Voltage, Vce Sat Max 1.9V
Power Dissipation 100W
Case Style TO-220
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600V
Current, Icm Pulsed 120A
No. of Pins 3
Power, Pd 100W
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Time, Fall Max 160ns
Time, Rise 26ns
Transistors, No. of 1
Корпус TO220 , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 31 А, Напряжение насыщения К-Э 1.59 В, Время включения 42 нс, Время выключения 230 нс, Время восстановления диода 42 нс, Максимальная мощность 100 Вт, Заряд затвора 51 нКл, Тип входа стандартный , Примечание IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, FAST 1-8 kHz
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C31 А
-
Напряжение насыщения К-Э1.59 В
-
Время включения42 нс
-
Время выключения230 нс
-
Время восстановления диода42 нс
-
Максимальная мощность100 Вт
-
Заряд затвора51 нКл
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеIGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, FAST 1-8 kHz