IRGIB15B60KD1P / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT, TO-220FP
Transistor Type IGBT
Transistor Polarity N
Voltage, Vces 600V
Current Ic Continuous a Max 19A
Voltage, Vce Sat Max 2.2V
Power Dissipation 52W
Case Style TO-220FP
Termination Type Through Hole
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600V
Current, Icm Pulsed 38A
Power, Pd 52W
Time, Rise 35ns
Корпус TO220FP , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 19 А, Напряжение насыщения К-Э 2.2 В, Время включения 30 нс, Время выключения 173 нс, Время восстановления диода 67 нс, Максимальная мощность 52 Вт, Заряд затвора 56 нКл, Тип входа стандартный , Тип NPT , Примечание IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
Характеристики
-
КорпусTO220FP
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C19 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.2 В
-
Время включения30 нс
-
Время выключения173 нс
-
Время восстановления диода67 нс
-
Максимальная мощность52 Вт
-
Заряд затвора56 нКл
-
Тип входастандартный
-
ТипNPT
-
ПримечаниеIGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz