IRL100HS121 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Полевой МОП-транзистор OptiMOS 5 поколения с каналом N-типа, 100 В, 11 А, в корпусе PQFN (2x2 мм)
Характеристики:
- Полярность: N;
- Напряжение сток-исток: 100 В;
- Ток: 11 А;
- Сопротивление сток-исток: 34 мОм;
- Напряжение затвор-исток: ±20 В;
- Рассеиваемая мощность: 11.5 Вт;
- Заряд затвора: 3.7 нКл;
- Время спада: 10.7 нс;
- Время нарастания: 21 нс;
- Рабочая температура: -55...+175 °С;
- Корпус: PQFN (2x2 мм)
Корпус PQFN6 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Сопротивление открытого канала (мин) 42 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 59 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Особенности OptiMOS 5
Характеристики
-
КорпусPQFN6
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Сопротивление открытого канала (мин)42 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max59 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
ОсобенностиOptiMOS 5