IRL530NPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, LOGIC, TO-220
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 100V
Current, Id Cont 15A
Resistance, Rds On 0.1ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 2V
Case Style TO-220AB
Termination Type Through Hole
Current, Idm Pulse 60A
Lead Spacing 2.54mm
No. of Pins 3
Power Dissipation 63W
Power, Pd 63W
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Transistors, No. of 1
Voltage, Vds Max 100V
Voltage, Vgs th Max 2V
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 100 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 100 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 150 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 16 В, Заряд затвора 34 нКл, Рассеиваемая мощность 79 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 800 пФ
Предлагаем замену
_500.jpeg)
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C17 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)100 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min100 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max150 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора16 В
-
Заряд затвора34 нКл
-
Рассеиваемая мощность79 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора800 пФ