IRLR3705ZPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, D-PAK TUBE 75; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:89A; Resistance, Rds On:8mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D-PAK; Current, Idm Pulse:130A; Marking, SMD:IRLR3705Z; Power, Pd:130W; Voltage, Vds Max:55V
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C 42 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 8 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 12 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 16 В, Заряд затвора 66 нКл, Рассеиваемая мощность 130 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 2 900 пФ
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток55 В
-
Ток стока номинальный при 25°C42 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)8 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min8 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max12 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора16 В
-
Заряд затвора66 нКл
-
Рассеиваемая мощность130 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора2 900 пФ