IRS21851STRPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOIC8 , Кол-во нижних каналов 0 , Кол-во верхних каналов 1 , Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 4 А, Максимальный выходной ток спада 4 А, Рабочая температура 150 °C, Примечание IC, MOSFET DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-8; Device Type:High Side; Module Configuration:High Side; Peak Output Current:4A; Input Delay:160ns; Output Delay:160ns; Supply Voltage Range:10V to 20V; Driver Case Style:SOIC; No. of Pins:8 ;RoHS Compliant: Yes
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Кол-во нижних каналов0
-
Кол-во верхних каналов1
-
Максимальное напряжение смещения600 В
-
Максимальный выходной ток нарастания4 А
-
Максимальный выходной ток спада4 А
-
Рабочая температура150 °C
-
ПримечаниеIC, MOSFET DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-8; Device Type:High Side; Module Configuration:High Side; Peak Output Current:4A; Input Delay:160ns; Output Delay:160ns; Supply Voltage Range:10V to 20V; Driver Case Style:SOIC; No. of Pins:8 ;RoHS Compliant: Yes