IRS2334MTRPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус MLPQ28 , Кол-во нижних каналов 3 , Кол-во верхних каналов 3 , Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 200 мА, Максимальный выходной ток спада 350 мА, Опции Half Bridge Based IGBT/MOSFET Driver , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 150 °C, Примечание High voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with three independent high side and low side referenced output channels for 3-phase applications in a 28_lead 5x5 MLPQ
Характеристики
-
КорпусMLPQ28
-
Кол-во нижних каналов3
-
Кол-во верхних каналов3
-
Максимальное напряжение смещения600 В
-
Максимальный выходной ток нарастания200 мА
-
Максимальный выходной ток спада350 мА
-
ОпцииHalf Bridge Based IGBT/MOSFET Driver
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура150 °C
-
ПримечаниеHigh voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with three independent high side and low side referenced output channels for 3-phase applications in a 28_lead 5x5 MLPQ