Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 330 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 200 мА, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 70 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon