SMBTA92 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Transistor (BJT) - diskret Infineon Technologies SMBTA92 SOT-23-3 1 PNP
Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 360 мВт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 25 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность360 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное300 В
-
Ток коллектора500 мА
-
Граничная рабочая частота50 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min25
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon