SPB11N60C3 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO263 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 11 А, Сопротивление открытого канала (мин) 380 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 380 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 380 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 60 нКл, Рассеиваемая мощность 125 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB , Ёмкость затвора 1 200 пФ
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток650 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса11 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)380 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min380 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max380 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора60 нКл
-
Рассеиваемая мощность125 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
-
Ёмкость затвора1 200 пФ