SPP20N60C3XKSA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, TO-220 TUBE 50; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:650V; Current, Id Cont:20.7A; Resistance, Rds On:0.19ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:62.1A; Pins, No. of:3; Power Dissipation:208W; Power, Pd:208W; Power, Ptot:208W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds:650V; Voltage, Vds Max:650V; Voltage, Vgs th Max:3.9V
Корпус TO220 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C 20.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 190 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 190 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 190 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 114 нКл, Рассеиваемая мощность 208 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Ёмкость затвора 2 400 пФ, Особенности CoolMOS C3
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C20.7 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)190 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min190 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max190 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора114 нКл
-
Рассеиваемая мощность208 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
Ёмкость затвора2 400 пФ
-
ОсобенностиCoolMOS C3