TLE5501E0001XUMA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Магниточувствительные датчики на основе эффекта туннельного магнитосопротивления (TMR). По сравнению с другими магниторезистивными датчиками, такими как AMR и GMR, технология TMR позволяет получить в несколько раз большую чувствительность, а также лучшую точность и стабильность при меньшем температипном дрейфе. Датчики TMR имеют высокий уровень выходного сигнала, что позволяет отказаться от дополнительного внутреннего усилителя.
Особенности:
- Магниточувствительные датчики на основе эффекта туннельного магнитосопротивления (TMR);
- Угол измерения: 360 °;
- Высокий уровень выходного сигнала для прямого подключения микроконтроллера: до 0.37 В/В;
- Дискретный мост с дифференциальными выходами SIN и COS;
- Логометрические (ratiometric) выходные сигналы;
- Напряжение питания: 2.7…5.5 В;
- Рабочий ток: 2.5 мА;
- Выходное напряжение: 1.2…1.5 В;
- Диапазон магнитного поля: 20…100 мТл;
- Угловая погрешность: 1.0 ° тип;
- Защита от статики (ESD): более 4 кВ (HBM);
- Рабочая температипа: -40…+150 °C;
- Корпус: DSO-8;
- Автомобильная квалификация: AEC-Q100
Корпус SOIC8 , Тип датчика Угловой , Рабочая температура, min -40 °C, Рабочая температура, max 150 °C, Монтаж Поверхностный , Применение Измерение угла поворота внешнего магнита от 0 до 360 градусов , Примечание TMR, passive bridge
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Тип датчикаУгловой
-
Рабочая температура, min-40 °C
-
Рабочая температура, max150 °C
-
МонтажПоверхностный
-
ПрименениеИзмерение угла поворота внешнего магнита от 0 до 360 градусов
-
ПримечаниеTMR, passive bridge