J110 / INTERFET
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация N-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 400 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226AA
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияN-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность400 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226AA