Корпус —, Тип проводимости и конфигурация N-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 360 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226AA
Показать полное описаниеСкрыть полное описание
Характеристики
Корпус
—
Тип проводимости и конфигурация
N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность
360 мВт
Примечание
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226AA