IRF460 / International Rectifier
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, TO-3
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 500V
Current, Id Cont 21A
Resistance, Rds On 0.27ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 4V
Case Style TO-3
Termination Type Through Hole
Avalanche Single Pulse Energy Eas 1200mJ
Current Iar 21A
Current, Idm Pulse 84A
Fixing Centres 30mm
Lead Spacing 11mm
Max Repetitive Avalanche Energy 30mJ
No. of Pins 2
Power Dissipation 300W
Power, Pd 300W
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Temperature, Tj Max 150°C
Temperature, Tj Min -55°C
Transistors, No. of 1
Voltage, Vds Max 500V
Voltage, Vgs th Max 4V
Weight 11.5g
Корпус TO204AA , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C 21 А, Сопротивление открытого канала (мин) 310 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 310 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 310 мОм, Рассеиваемая мощность 300 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE
Характеристики
-
КорпусTO204AA
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток500 В
-
Ток стока номинальный при 25°C21 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)310 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min310 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max310 мОм
-
Рассеиваемая мощность300 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE