2N5551 / Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
Добавить к сравнению
Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 0 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 80 , Коэффициент усиления по току, max 250
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 67000 шт | — |
14,61
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность625 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное160 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии0 В
-
Ток коллектора600 мА
-
Коэффициент усиления по току, min80
-
Коэффициент усиления по току, max250