_500.jpeg "BDV67C")
BDV67C / Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
Добавить к сравнению
Silicon NPV Power Transistor; TO-3PN; DARLINGTON; 120V; 200W; 16A; Tj 150°C
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 Вт, Напряжение КЭ максимальное 120 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 2 В, Ток коллектора 16 А, Коэффициент усиления по току, min 1000 , Примечание Silicon NPV Power Transistor; TO-3PN; DARLINGTON; 120V; 200W; 16A; Tj 150°C
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 12886 шт | — |
346,67
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность200 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное120 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии2 В
-
Ток коллектора16 А
-
Коэффициент усиления по току, min1000
-
ПримечаниеSilicon NPV Power Transistor; TO-3PN; DARLINGTON; 120V; 200W; 16A; Tj 150°C