IS41C16256-35T / Integrated Silicon Solution
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип памяти EDO DRAM , Подтип памяти EDO DRAM , Организация памяти 256KX16 , Напряжение питания, min 4.5 В, Напряжение питания, max 5.5 В, Рабочая температура 70 °C, Время доступа 35 нс
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип памятиEDO DRAM
-
Подтип памятиEDO DRAM
-
Организация памяти256KX16
-
Напряжение питания, min4.5 В
-
Напряжение питания, max5.5 В
-
Рабочая температура70 °C
-
Время доступа35 нс