IS45S16100H-7BLA2 / Integrated Silicon Solution
Не поставляется
Добавить к сравнению
Тип памяти SYNCHRONOUS DRAM , Подтип памяти SYNCHRONOUS DRAM , Организация памяти 1MX16 , Напряжение питания, min 3 В, Напряжение питания, max 3.6 В, Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 105 °C, Время доступа 5.5 нс
Характеристики
-
Тип памятиSYNCHRONOUS DRAM
-
Подтип памятиSYNCHRONOUS DRAM
-
Организация памяти1MX16
-
Напряжение питания, min3 В
-
Напряжение питания, max3.6 В
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура105 °C
-
Время доступа5.5 нс