IS66WV51216EBLL-70BLI / Integrated Silicon Solution
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип памяти RAM , Подтип памяти PSRAM (Pseudo) , Интерфейс Parallel , Объём памяти 8 Мбит, Организация памяти 512K x 16 , Напряжение питания, min 2.5 В, Напряжение питания, max 3.6 В, Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 85 °C, Время доступа 70 нс
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип памятиRAM
-
Подтип памятиPSRAM (Pseudo)
-
ИнтерфейсParallel
-
Объём памяти8 Мбит
-
Организация памяти512K x 16
-
Напряжение питания, min2.5 В
-
Напряжение питания, max3.6 В
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура85 °C
-
Время доступа70 нс