IXDN75N120
Не поставляется
Добавить к сравнению
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660000mW 4-Pin SOT-227B
Внутренняя схема Single , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А, Технология кристалла NPT , Корпус —, Импульсный ток 0 А, Максимальная рассеиваемая мощность 660 Вт
Характеристики
-
Внутренняя схемаSingle
-
Напряжение К-Э1.2 кВ
-
Рабочий ток при 25°C150 А
-
Технология кристаллаNPT
-
Корпус—
-
Импульсный ток0 А
-
Максимальная рассеиваемая мощность660 Вт