_500.jpeg "IXGN400N60B3")
IXGN400N60B3 / Ixys
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT модуль серии IXGN400N60; Si; Uкэ 600 В, Iк 430 А; Uкэ нас. 1.5 В; -55…150 °С; SOT-227B
Характеристики:
- Технология:Si;
- Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В;
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.25 В;
- Непрерывныток коллектора: 430 А при 25 °C;
- Ток утечки затвор-эмиттер: 400 нА;
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 В;
- Корпус: SOT-227B-4;
- Рабочая температура: -55...+150 °C
Внутренняя схема Single , Напряжение К-Э 600 В, Рабочий ток при 25°C 430 А, Технология кристалла PT , Корпус —, Импульсный ток 0 А, Максимальная рассеиваемая мощность 1 кВт
Характеристики
-
Внутренняя схемаSingle
-
Напряжение К-Э600 В
-
Рабочий ток при 25°C430 А
-
Технология кристаллаPT
-
Корпус—
-
Импульсный ток0 А
-
Максимальная рассеиваемая мощность1 кВт