DTC114EUA / JSCJ
JSCJ
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 50 мА, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 10 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 10 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 3705240 шт | — |
1,43
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора50 мА
-
Граничная рабочая частота250 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи10 кОм
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ10 кОм
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
