DTC114WCA / JSCJ
JSCJ
Добавить к сравнению
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 24 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 10 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 4.7 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 2542238 шт | — |
1,34
от 5009 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота250 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min24
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи10 кОм
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ4.7 кОм
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN