MMDT2227 / JSCJ
JSCJ
Добавить к сравнению
Корпус SOT363 , Тип проводимости и конфигурация PNP, NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1.6 В, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100 , Коэффициент усиления по току, max 300 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN and PNP
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 619920 шт | — |
4,03
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT363
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP, NPN
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1.6 В
-
Ток коллектора600 мА
-
Граничная рабочая частота300 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
Коэффициент усиления по току, max300
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN and PNP