MMDT5401 / JSCJ
JSCJ
Добавить к сравнению
Корпус SOT363 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 5 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 50 В, Ток коллектора 160 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 300 , Коэффициент усиления по току, max 5 , Примечание Transistor
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1190340 шт | — |
7,92
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT363
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное5 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии50 В
-
Ток коллектора160 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min300
-
Коэффициент усиления по току, max5
-
ПримечаниеTransistor