MMST5401 / JSCJ
JSCJ
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 150 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 60 , Коэффициент усиления по току, max 300 , Примечание Transistor
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1473360 шт | — |
4,32
от 9000 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное150 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора600 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min60
-
Коэффициент усиления по току, max300
-
ПримечаниеTransistor