UML2N / JSCJ
JSCJ
Добавить к сравнению
Корпус SOT353 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 400 мВ, Ток коллектора 150 мА, Граничная рабочая частота 180 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Коэффициент усиления по току, max 560 , Примечание Isolated Transistor and Diode
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 665820 шт | — |
4,17
от 3000 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT353
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии400 мВ
-
Ток коллектора150 мА
-
Граничная рабочая частота180 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min120
-
Коэффициент усиления по току, max560
-
ПримечаниеIsolated Transistor and Diode