KTD2092 / Kec Corp
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 25 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 3 А, Граничная рабочая частота 140 МГц, Коэффициент усиления по току, min 150 , Примечание Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность25 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Ток коллектора3 А
-
Граничная рабочая частота140 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min150
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin