L2N7002KLT1G / LRC
LRC
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 320 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 2.3 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 2.3 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 2.3 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min -20 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 20 В, Рассеиваемая мощность 420 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 20149806 шт | — |
0,86
от 300000 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C320 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)2.3 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min2.3 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max2.3 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min-20 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max20 В
-
Рассеиваемая мощность420 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236