L2N7002LT1G / LRC
LRC
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 115 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 7.5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 7.5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 7.5 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min -20 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 20 В, Рассеиваемая мощность 300 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 22342820 шт | — |
0,67
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C115 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)7.5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min7.5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max7.5 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min-20 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max20 В
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
