L2SC4083PWT1G / LRC
LRC
Добавить к сравнению
Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 11 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 50 мА, Граничная рабочая частота 3.2 ГГц, Коэффициент усиления по току, min 82 , Коэффициент усиления по току, max 180 , Примечание RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 581900 шт | — |
2,65
от 9000 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное11 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора50 мА
-
Граничная рабочая частота3.2 ГГц
-
Коэффициент усиления по току, min82
-
Коэффициент усиления по току, max180
-
ПримечаниеRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN