L8550QLT1G / LRC
LRC
Добавить к сравнению
Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 25 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 800 мА, Коэффициент усиления по току, min 150 , Коэффициент усиления по току, max 300 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 1-Element, PNP
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 6986150 шт | — |
0,93
от 3004 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное25 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора800 мА
-
Коэффициент усиления по току, min150
-
Коэффициент усиления по току, max300
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 1-Element, PNP