LBC807-16LT1G / LRC
LRC
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 700 мВ, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100 , Коэффициент усиления по току, max 250 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1469132 шт | — |
1,32
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное45 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии700 мВ
-
Ток коллектора500 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
Коэффициент усиления по току, max250
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon