LBC858BLT1G / LRC
LRC
Добавить к сравнению
Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 650 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 220 , Коэффициент усиления по току, max 475 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 696580 шт | — |
1,59
от 30000 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное30 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии650 мВ
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min220
-
Коэффициент усиления по току, max475
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon