LH8550QLT1G / LRC
LRC
Добавить к сравнению
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 400 мВ, Ток коллектора 1.5 А, Коэффициент усиления по току, min 160 , Коэффициент усиления по току, max 320 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 2723986 шт | — |
5,99
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии400 мВ
-
Ток коллектора1.5 А
-
Коэффициент усиления по току, min160
-
Коэффициент усиления по току, max320
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP