LMBT6517LT1G / LRC
LRC
Добавить к сравнению
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 350 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1 В, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 40 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Коэффициент усиления по току, max 200 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 175730 шт | — |
12,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное350 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1 В
-
Ток коллектора500 мА
-
Граничная рабочая частота40 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
Коэффициент усиления по току, max200
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN